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title: "Produção e caracterização de estruturas semicondutoras: filmes de ZnO/Ni e nanofios de ZnO e GalnP • CBPF Index"
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**Tese de doutorado****Defendida**

# **Produção e caracterização de estruturas semicondutoras: filmes de ZnO/Ni e nanofios de ZnO e GalnP**

**Carolina F. Cerqueira**

14/09/2015

[**Baixar PDF **3,2 MB](https://index.cbpf.br/files/publicacao/6ad2a767639f62b11adbd7f0/pdf) [**Contatar responsável**](mailto:denise@cbpf.br?subject=Produ%C3%A7%C3%A3o%20e%20caracteriza%C3%A7%C3%A3o%20de%20estruturas%20semicondutoras%3A%20filmes%20de%20ZnO%2FNi%20e%20nanofios%20de%20ZnO%20e%20GalnP)

## **Resumo**

Neste trabalho são apresentados resultados relativos ao crescimento e caracterização de materiais semicondutores na forma de \_filmes e nanofios. Filmes na bicamada óxido de zinco/níquel (ZnO/Ni) produzidos por eletrodeposição apresentaram uma superfície homogênea composta por facetas hexagonais e estrutura cristalina na geometria wurtzita hexagonal. A interface ZnO/Ni sob medidas de curva I X V apresentou, o esperado, comportamento Schottky com altura de barreira 0,859 e V. É apresentado, ainda, o processo de crescimento de nanofios de ZnO por eletrodeposição, assim como o processo para fabricação de um dispositivo para medidas elétricas. Foram obtidos contatos ôhmicos de titânio/ouro (Ti/Au) e níquel-ferro (NiFe) com o nanofio, comprovando a eficácia de todo processo de preparação das amostra. Um novo método de deposição química a vapor organometálico (MOCVD) é proposto para produção de nanofios de fosfeto de gálio índio (GaInP) sem utilizar catalisador intencional. Os nanofios tiveram a composição química estudada por microscopia eletrônica de transmissão (MET) e observou-se que foi incorporada uma pequena quantidade de In nos nanofios crescidos a 70Torr (8% In) e uma maior quantidade In nos nanofios crescidos a 740Torr (28% In). Análises MET mostraram que a 70Torr os nanofios crescem com estrutura cristalina cúbica de face centrada e a 740Torr os nanofios crescem com uma estrutura politípica wurtzita/blenda de zinco. Os nanofios de GaInP apresentaram uma resistência muito alta e não foi possível passar corrente através deles. Isso se deve, provavelmente, a presença do politipismo, das maclas e da diferença de composição ao longo do nanofio.

## **Dados da publicação**

<dl>

<dt>Autores</dt>
<dd>Carolina F. Cerqueira</dd>

<dt>Tipo</dt>
<dd>Tese de doutorado</dd>

<dt>Status</dt>
<dd>Defendida</dd>

<dt>Data de publicação</dt>
<dd>14/09/2015</dd>

<dt>Instituição</dt>
<dd>CBPF</dd>

<dt>Data de defesa</dt>
<dd>14/09/2015</dd>

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