Estudo do crescimento de filmes finos de MnO e Mn$_3$O$_4$ sobre substrato de Au (111)

Nos últimos anos intensificou-se muito o estudo da superfície de óxidos de manganês. Não apenas por conta das muitas aplicações desse material, mas também por apresentar propriedades ainda não completamente compreendidas. Por isso, neste trabalho, busca-se investigar o crescimento dos filmes finos e ultrafinos de MnO e Mn$_3$O$_4$ sobre monocristal de ouro no plano (111). O crescimento dos filmes foi realizado através da técnica de evaporação por feixe de elétrons (EBE), controlando a espessura desde 5 nm até 0,4 nm. A estequiometria do filme foi determinada utilizando a técnica de espectroscopia de fotoelétrons por raios-X (XPS). Sua estrutura cristalina, e a relação de epitaxia com o substrato, estabelecida por difração de elétrons de baixa energia (LEED). O crescimento e a caracterização dos filmes foram realizados "{\it in-situ}", em um sistema de ultra alto vácuo (UHV), operando a uma pressão base $\leq$10$^9$ mbar. Foram realizados diversos crescimentos em função da espessura e pressão parcial de oxigênio, o estudo destes filmes nos permitiu determinar a estequiometria e a orientação dos filmes. Quatro filmes diferentes foram obtidos: MnO(001), Mn$_3$O$_4$(001), MnO(001)c(2x2) e Mn$_3$O$_4$(001)c(2x2), onde c(2x2) é uma reconstrução do plano na superfície com relação ao plano do material {\it bulk}. O parâmetro de rede dos filmes foram medidos através das imagens de LEED. E a investigação da estrutura eletrônica, pela análise dos espectros de XPS, possibilitou verificarmos como as componentes dos picos de fotoemissão são afetados pela interação dos ânions (O$^{-2}) e cátions (Mn$^{+2}$ e Mn$^{+3}$) da superfície.