Estrutura Eletrônica e Interações Hiperfinas de Compostos de Sn

Neste trabalho, calculamos a estrutura eletrônica de diversos aglomerados representando compostos sólidos de Sn(II) e Sn(IV) com a finalidade de investigar as interações hiperfinas Mössbauer do 〖110〗_Sn. Empregamos um método de primeiros princípios, o método Variacional Discreto, o qual utiliza uma base variacional de funções atômicas (LCAO) e define o termo de troca-correlação no contexto da teoria da densidade local. Nossos estudos foram realizados em duas etapas distintas: Derivamos a densidade eletrônica ρ(0) no núcleo do Sn para os tetrahalogenetos 〖SnX〗_4 (X=F, Cl, Br e I), representados por aglomerados pequenos. Combinamos os valores de ρ(0) com os correspondentes deslocamentos isoméricos experimentais, a fim de determinar um valor para a constante nuclear ∆R/R (ou ∆<r^2>). As diferenças encontradas nos valores de ρ(0) foram discutidas em termos da ligação Sn-X. O mesmo tipo de estudo descrito acima foi feito para os compostos Sn0, 〖SnF〗_2, SnS, SnSe, 〖SnO〗_2 e 〖SnF〗_4 representados, cada um, por vários tipos de aglomerados. Determinamos ainda as densidades de estados, as quais foram analisadas e comparadas, quando possível, com espectros experimentais de fotoemissão existentes na literatura. Além disso, calculamos as componentes do tensor gradiente de campo elétrico V_ZZ para cada aglomerado representando os compostos de Sn(II) e Sn(IV), a fim de derivar valores para os desdobramentos quadrupolares, os quais foram comparados com aqueles medidos experimentalmente.