Produção e caracterização de estruturas semicondutoras: filmes de ZnO/Ni e nanofios de ZnO e GalnP

Neste trabalho são apresentados resultados relativos ao crescimento e caracterização de materiais semicondutores na forma de _filmes e nanofios. Filmes na bicamada óxido de zinco/níquel (ZnO/Ni) produzidos por eletrodeposição apresentaram uma superfície homogênea composta por facetas hexagonais e estrutura cristalina na geometria wurtzita hexagonal. A interface ZnO/Ni sob medidas de curva I X V apresentou, o esperado, comportamento Schottky com altura de barreira 0,859 e V. É apresentado, ainda, o processo de crescimento de nanofios de ZnO por eletrodeposição, assim como o processo para fabricação de um dispositivo para medidas elétricas. Foram obtidos contatos ôhmicos de titânio/ouro (Ti/Au) e níquel-ferro (NiFe) com o nanofio, comprovando a eficácia de todo processo de preparação das amostra. Um novo método de deposição química a vapor organometálico (MOCVD) é proposto para produção de nanofios de fosfeto de gálio índio (GaInP) sem utilizar catalisador intencional. Os nanofios tiveram a composição química estudada por microscopia eletrônica de transmissão (MET) e observou-se que foi incorporada uma pequena quantidade de In nos nanofios crescidos a 70Torr (8% In) e uma maior quantidade In nos nanofios crescidos a 740Torr (28% In). Análises MET mostraram que a 70Torr os nanofios crescem com estrutura cristalina cúbica de face centrada e a 740Torr os nanofios crescem com uma estrutura politípica wurtzita/blenda de zinco. Os nanofios de GaInP apresentaram uma resistência muito alta e não foi possível passar corrente através deles. Isso se deve, provavelmente, a presença do politipismo, das maclas e da diferença de composição ao longo do nanofio.