Fabricação de filmes finos de ZnO para o desenvolvimento de sensores de pH baseados em semicondutores do tipo EGFET

A medida de pH tem grande relevância em diversas áreas que vão desde a química analítica até a indústria farmacêutica. O desenvolvimento de sensores de pH que possam substituir os eletrodos combinados de vidro tradicionais tem sido almejado por diversos grupos de pesquisa, principalmente após a descoberta do MOSFET sensível a íons (ISFET), na década de 1970. Diante disso, o objetivo central deste trabalho é contribuir para o desenvolvimento nas pesquisas de sensores de pH baseados em semicondutores de efeito de campo com porta estendida - EGFET. O óxido de Zinco tem sido utilizado em trabalhos de diversas áreas, dentre elas a eletrônica, optoeletrônica e para a fabricação de biosensores de ureia, glicose, ácido úrico e sensores de pH, em razão de suas características ópticas, elétricas, grande abundância, além de não ser tóxico. Para tal, este trabalho se divide em duas etapas: a fabricação de filmes finos de ZnO e Al:ZnO, em substrato de FTO, através da eletrodeposição potenciostática, e a caracterização dos filmes como sensores de pH. Foram obtidas, com a caracterização elétrica dos filmes, sensibilidades da ordem de 56,25 mV/pH com filmes de ZnO, e 26,25 mV/pH com filmes de Al:ZnO, ambos fabricados a 80ºC. Serão abordadas também a caracterização morfológica e estrutural dos filmes, bem como a caracterização elétrica dos filmes aplicados como sensores de pH.