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title: "Comparação Entre a Pressão Química e a Pressão Externa Hidrostática em Supercondutores do Tipo (Hg1-x Rex) - 1223 • CBPF Index"
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**Tesis doctoral****Defendida**

# **Comparação Entre a Pressão Química e a Pressão Externa Hidrostática em Supercondutores do Tipo (Hg1-x Rex) - 1223**

**Evandro Vidor Lins de Mello; M. A. Continentino; A. Troper; I. S. Oliveira**

08/10/1999

[**Descargar PDF **1,2 MB](https://index.cbpf.br/files/publicacao/6ad2a767639f62b11adbc136/pdf) [**Contactar al responsable**](<mailto:biblioteca@cbpf.br?subject=Compara%C3%A7%C3%A3o%20Entre%20a%20Press%C3%A3o%20Qu%C3%ADmica%20e%20a%20Press%C3%A3o%20Externa%20Hidrost%C3%A1tica%20em%20Supercondutores%20do%20Tipo%20(Hg1-x%20Rex)%20-%201223>)

## **Resumen**

Amostras de cerâmicas policristalinas do tipo Hg1-x Rex Ba2 Ca2 Cu3 O8-x foram produzidas sendo que suas propriedades magnéticas as caracterizam como monofásicas. De posse dessas amostras foi demonstrado que amostras cerâmicas de supercondutores H1-x Rex Ba2 Ca2 C3 O8+x com concentrações variando de x = 0,00 até 0,25 apresentam um comportamento de Tc não equivalente, quando submetido a pressão química ou a pressão externa hidrostática. Noc aso da substituição do rênio (Re) no sítio do Hg o aumento da concentração de Re provocou uma redução do volume da célula unitária (pressão química) sem que a temperatura crítica desse supercondutor se modificasse significativamente, ou seja Tc ≈ 133 (1) K. Por outro lado, o uso de pressão externa hidrostática em medidas de resistência versus temperatura apresentou um aumento da temperatura crítica de até Tc(P) ≈ 138(1) K em pressões de 0,92 Gpa. Considerando que a pressão externa hidrostática reduz o volume da célula mínima, produzindo um efeito equivalente a pressão química (exercida pela substituição parcial com rênio), ficou demonstrado que a redução volumétrica é um argumento muito fraco para justificar o mecanismo intrínseco relacionado ao aparecimento do estado supercondutor nesses compostos. No entanto, considerando modelos associados a transferência de carga do plano HgO para os planos CuO2 fica aparentemente justificada essa divergência entre os dois comportamentos (pressão química e pressão hisdrostática externa). Nesse modelo, denominado PICT( “Pressure Induced Charge Transfer”), podemos associar ao termo intrínseco um dos mecanismos responsáveis pelo aumento de Tc. Considerando a Hamiltoniana de Hubbard estendida t-U-V, podemos reconhecer nesse termo intrínseco a dependência do “gap” com a pressão. Muitos dos resultados apresentados neste trabalho são analisados sobre esse ponto de vista e recentes modificações incluídas nesse modelo são apresentadas.

## **Datos de la publicación**

<dl>

<dt>Autores</dt>
<dd>Evandro Vidor Lins de Mello; M. A. Continentino; A. Troper; I. S. Oliveira</dd>

<dt>Tipo</dt>
<dd>Tesis doctoral</dd>

<dt>Estado</dt>
<dd>Defendida</dd>

<dt>Fecha de publicación</dt>
<dd>08/10/1999</dd>

<dt>Institución</dt>
<dd>CBPF</dd>

<dt>Fecha de defensa</dt>
<dd>08/10/1999</dd>

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