Efeitos do Campo Elétrico Sobre as Propriedades de Impurezas Rasas Em Poços Quânticos de Ga-As-(Ga,Al)As

Neste trabalho estudamos os efeitos de campo elétrico sobre as propriedades dos estados de impurezas raras em poços quânticos de GaAs-(Ga,Al)As. O campo elétrico é aplicado na direção de crescimento da heteroestrutura. Em nossos cálculos adotamos o método variacional na aproximação da massa efetiva. São apresentadas as energias de ligação de impurezas doadoras em função da sua posição no poço para diferentes valores de campo elétrico aplicado. Apresentamos resultados teóricos para os espectros de absorção ótica associados às impurezas rasas e também os espectros de fotoluminescência relacionados à recombinação elétron-aceitador, para diferentes valores de campo elétrico e perfis de dopagem. Por fim, analisamos o cálculo do estado fundamental de impurezas rasas em poços quânticos de GaAs-(Ga,Al)As considerando o Hamiltoniano do problema diagonalizado numa base de estados tipo |1s) e |2s) hidrogenoides multiplicados pelo estado fundamental do poço quântico sem o potencial da impureza.