Propriedades de Transporte em Sistemas Semicondutores de Baixa Dimensionalidade Via Formalismo de Função Memória

Neste trabalho é utilizado o formalismo de Função Memória – Operador de Projeção para o estudo das propriedades de transporte em heteroestruturas semicondutoras que apresentem canais condutores com dimensão efetiva inferior ao caso usual tridimensional. É tratada, com ênfase especial, a contribuição do espalhamento por fônons no tempo de relaxação de transporte do gás de elétrons em função da temperatura do banho térmico. Pela primeira vez é feito um estudo sistemático da influência da dimensionalidade efetiva do sistema de fônons agindo sobre o gás de elétrons. É também estudado o efeito desta dimensionalidade no transporte sob ação de campo magnético forte, em especial na ressonância ciclotrônica e no espectro de absorção da magnetocondutividade. Finalmente, é obtido o resultado da renormalização do tempo de relaxação devido a fônons na presença de campo magnético forte por espalhamento via impurezas. Isto é feito através de correções de vértice na função de correlação força-força que dão origem a um polo difusivo na função de polarização do gás de elétrons. Assim, completa-se o estudo de transporte do gás de elétrons de baixa dimensionalidade com a contribuição do espalhamento por fônons no regime de localização fraca.