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title: "Propriedades Estruturais e de Transporte Eletrônico de Filmes de ZnO Eletrodepositado sobre Pt • CBPF Index"
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**Tesis de maestría****Defendida**

# **Propriedades Estruturais e de Transporte Eletrônico de Filmes de ZnO Eletrodepositado sobre Pt**

**Carolina F. Cerqueira**

13/12/2010

[**Descargar PDF **10,6 MB](https://index.cbpf.br/files/publicacao/6ad2a767639f62b11adbb302/pdf) [**Contactar al responsable**](mailto:biblioteca@cbpf.br?subject=Propriedades%20Estruturais%20e%20de%20Transporte%20Eletr%C3%B4nico%20de%20Filmes%20de%20ZnO%20Eletrodepositado%20sobre%20Pt)

## **Resumen**

Serão apresentados neste trabalho resultados obtidos no processo de fabricação e caracterização de diodos Schottky em filmes de ZnO/Pt. O filme de platina foi depositado por pulverização catódica sobre um substrato de silício e o filme de ZnO foi produzido por eletrodeposição. A estrutura cristalina com simetria hexagonal dos filmes de ZnO eletrodepositados foram comprovadas pela difração de raio-X e por imagens feitas por microscopia eletrônica de varredura. Contatos elétricos foram feitos entre o filme de platina e o filme de ZnO viabilizando as medidas das curvas I x V. Essas curvas foram ajustadas seguindo o modelo termiônico. O ajuste permitiu cacular a altura da barreira Schottky e o fator de idealidade do contato. Valores entre 0,87 eV e 1,02 eV foram encontrados para altura da barreira ZnO/Pt . Palavras-chave: dispositivos metal/semicondutor, diodo Schottky, óxido de zinco, eletrodeposição.

## **Datos de la publicación**

<dl>

<dt>Autores</dt>
<dd>Carolina F. Cerqueira</dd>

<dt>Tipo</dt>
<dd>Tesis de maestría</dd>

<dt>Estado</dt>
<dd>Defendida</dd>

<dt>Fecha de publicación</dt>
<dd>13/12/2010</dd>

<dt>Área</dt>
<dd>Nanofabricação e Magnetismo</dd>

<dt>Institución</dt>
<dd>CBPF</dd>

<dt>Fecha de defensa</dt>
<dd>13/12/2010</dd>

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