Propriedades Estruturais e de Transporte Eletrônico de Filmes de ZnO Eletrodepositado sobre Pt

Serão apresentados neste trabalho resultados obtidos no processo de fabricação e caracterização de diodos Schottky em filmes de ZnO/Pt. O filme de platina foi depositado por pulverização catódica sobre um substrato de silício e o filme de ZnO foi produzido por eletrodeposição. A estrutura cristalina com simetria hexagonal dos filmes de ZnO eletrodepositados foram comprovadas pela difração de raio-X e por imagens feitas por microscopia eletrônica de varredura. Contatos elétricos foram feitos entre o filme de platina e o filme de ZnO viabilizando as medidas das curvas I x V. Essas curvas foram ajustadas seguindo o modelo termiônico. O ajuste permitiu cacular a altura da barreira Schottky e o fator de idealidade do contato. Valores entre 0,87 eV e 1,02 eV foram encontrados para altura da barreira ZnO/Pt . Palavras-chave: dispositivos metal/semicondutor, diodo Schottky, óxido de zinco, eletrodeposição.